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Multiple Devices 13/Aug/2010 |
标准包装 | 800 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 40V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 70A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 5 mOhm @ 70A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 338nC @ 20V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 8410pF @ 25V |
功率 - 最大 | 181W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB |
供应商器件封装 | D²PAK |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
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